РВС-ИПИ технология позволяет упрочнить поверхность металла в зоне контакта. Образование упрочненного поверхностного слоя объясняется взаимодействием движущихся к поверхности дислокаций со ступеньками скольжения, которые под нагрузкой действуют как концентраторы напряжений с областью напряжений ближнего порядка. Взаимодействие приближающихся к поверхности дислокаций с такими локальными очагами высоких напряжений может создавать барьерный эффект, который, в свою очередь, может увеличивать вероятность процесса поперечного слоя. Образование более прочного поверхностного слоя объясняется именно с позиции протекания преимущественного процесса поперечного скольжения винтовых дислокаций. После деформации в поверхностных слоях плотность дислокации более высокая, чем внутри кристалла металла.

Существует градиент плотности дислокаций. На градиент (его величину) и направление влияют: величина степени деформации, скорость деформирования, состояние поверхности. В зависимости от предыстории режима деформации поверхности и действия ряда встречных факторов, градиент плотности дислокаций в близи свободной поверхности может иметь более сложную форму. РВС-ИПИ технология открыла механизм управления градиентом плотности дислокаций трущихся поверхностей и как следствие - управление барьерным эффектом приповерхностного градиента плотности дислокаций (debris-слоем). Трущиеся поверхности в узлах трения при эксплуатации подвергаются нагружению и разгружению. Это приводит к тому, что при разгружении вакансии «засасываются» со свободной поверхности в кристалл металла и вызывают «переползание» (замещение) дислокаций, а также создают на них дополнительное количество стопоров в виде движения ступенек. РВС-ИПИ технология позволяет заданным образом увеличивать количество вакансий и искусственно заполнять их легирующими или примесными элементами (для данного типа кристалла металла), что значительно увеличивает количество винтовых дислокаций. Дислокации вступают в конкурентную борьбу на своих границах, это существенно влияет на пластичность и упругость поверхности кристалла металла.

Кроме того, если приповерхностный градиент плотности дислокаций рассматривать как одну из форм неоднородности микропластической деформации, приводящей к хрупкому, усталостному и другим видам разрушений, то вполне естественно, что, зная кинетику и закономерности формирования такой неоднородности, можно научиться сознательно ею управлять и прогнозировать (эффект). Это, в свою очередь, позволяет откорректировать существующие и наметить пути создания новых технологических способов поверхностного упрочнения, обработки и соединения материалов, контроля износа, схватывания и, наконец, безизносный режим трущихся поверхностей в механизмах. Механизм нанесения микроударов по трущимся поверхностям является открытием РВС-ИПИ технологии. Пока не будем его описывать т.к. он достаточно сложен и является «ключиком» ко всему процессу управления износом. Умение искусственно управлять debris -слоем позволяет управлять и прочностью материала по сравнению с его исходным состоянием. Поверхностные источники дислокаций вступают в действие первыми и генерируют большее количество дислокаций, чем объемные источники (внутри металла). Дислокации от поверхностных источников перемещаются на большее расстояние, чем от объемных.

Действие указанных факторов, как правило, приводит к большему упрочнению поверхностных слоев кристалла металла. Данный процесс имеет гетерогенный тип. Управление зарождением дислокаций, их размножением, перемещением приповерхностного слоя повышенной плотности дислокаций и есть основа РВС-ИПИ технологии. Следует отметить, что зарождение дислокации может быть обусловлено также особенностями атомно-электронной структуры и динамики кристаллической решетки металла и, как следствие этого, влиянием указанных факторов на особенности изменения термодинамических параметров с учетом определенного вклада термодинамических функций, относящихся к трущейся поверхности кристалла металла. Причем, по-видимому, вклад этих эффектов будет максимально проявляться для систем, имеющих большую удельную долю поверхности и малые поперечные размеры (тонкие пленки, дисперсные системы и порошки, нитевидные кристаллы и др.). Принцип управления работой с дислокациями основывается на вакуумной теории поля и теории эфира по созданию вещества.